Intergrate multi-producten, de volledige stadiadienst,
Hoog - kwaliteitscontrole, fullfillment van het Klantenvereiste

Sales & Support
Vraag een offerte aan - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

Huis
Producten
Ongeveer ons
Fabrieksreis
Kwaliteitscontrole
Contacteer ons
Vraag een offerte aan

Categories: Alle categorieën

Crystal Electronic Component

Elektronische Dioden en Transistors

Microcontroller Eenheid MCU

De Opslag van flashgeheugengegevens

PCB-Raadsschakelaar

SMD-Geïntegreerde schakeling

Digitale Elektronische Module

Hoge Machtsmosfet

Opto-elektronicaleiden

Passieve Elektronische Componenten

Fpc Flexibele Gedrukte Kring

PCB-de Assemblagedienst

Elektronische Digitale Vertoningsraad

Het Relais van de signaalmacht

SMD-ONDERDOMPELINGSschakelaar

Ontwikkelaarhulpmiddelen

UL draadkabel

Elektronische Componentensensoren

de assemblage van de misstapring

Thuis Producten

Hoge Machtsmosfet

Alle producten

Crystal Electronic Component (67)

Elektronische Dioden en Transistors (26)

Microcontroller Eenheid MCU (33)

De Opslag van flashgeheugengegevens (20)

PCB-Raadsschakelaar (21)

SMD-Geïntegreerde schakeling (159)

Digitale Elektronische Module (6)

Hoge Machtsmosfet (2119)

Opto-elektronicaleiden (21)

Passieve Elektronische Componenten (21)

Fpc Flexibele Gedrukte Kring (6)

PCB-de Assemblagedienst (2)

Elektronische Digitale Vertoningsraad (6)

Het Relais van de signaalmacht (12)

SMD-ONDERDOMPELINGSschakelaar (25)

Ontwikkelaarhulpmiddelen (6)

UL draadkabel (2)

Elektronische Componentensensoren (20)

de assemblage van de misstapring (13)

Ik ben online Chatten Nu

ITS4200SSJDXUMA1 geïntegreerde schakelingen Ics SW 1 IN 1 UIT 6V aan de 8-speld DSO T/R van 52V 1.2A

IRLML6402TRPBF hoge Machtsmosfet p-CH Si 20V 3.7A 3 Speld dronkaard-23 T/R

Mosfet P CH van IRLML6401TRPBF Infineon Si 12V 4.3A 3 Speld dronkaard-23 T/R

IRLML2803TRPBF hoge Machtsmosfet n-CH Si 30V 1.2A 3 Speld dronkaard-23 T/R

De Machtsmosfet N van IRFP4368PbFinfineon de Speld aan-247AC Buis van kanaalsi 75V 350A 3

1 2 3 4 5

Hoge Machtsmosfet

(2119)

Hoge Machtsmosfet NVBGS1D2N08H Machtsmosfet, 80 V, 1,2 mΩ, 353 A, Enige N−Channel
Contact

Hoge Machtsmosfet NVBGS1D2N08H Machtsmosfet, 80 V, 1,2 mΩ, 353 A, Enige N−Channel [Who zijn wij?] Van de zonnestraalelektronika (Hong Kong) Co. Ltd is nadruk op halfgeleiderssourcing en elektronische componente... Lees meer Beste prijs

2022-05-26 17:59:40

Hoge Machtsmosfet NVBG160N120SC1 MOSFET N ‐ van het siliciumcarbide Kanaal 1200 V 160 mΩ D2PAK−7L
Contact

Krachtige MOSFET NVBG160N120SC1 Siliciumcarbide MOSFET N‐Kanaal 1200 V 160 mΩ D2PAK−7L [WhoO wij zijn?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd richt zich al meer dan 10 jaar op de inkoop van halfgeleiders en ... Lees meer Beste prijs

2022-05-26 17:59:40

Krachtige MOSFET NVBG080N120SC1 Siliciumcarbide MOSFET N‐Kanaal 1200 V 80 mΩ D2PAK−7L
Contact

Krachtige MOSFET NVBG080N120SC1 Siliciumcarbide MOSFET N‐Kanaal 1200 V 80 mΩ D2PAK−7L [WhoO wij zijn?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd richt zich al meer dan 10 jaar op de inkoop van halfgeleiders en de ... Lees meer Beste prijs

2022-05-26 17:59:40

Hoge Machtsmosfet NVBG060N090SC1 MOSFET van het siliciumcarbide, het Kanaal van N ‐, 900 V, 60 mΩ, D2PAK−7L
Contact

Krachtige MOSFET NVBG060N090SC1 Siliciumcarbide MOSFET, N‐Channel, 900 V, 60 mΩ, D2PAK−7L [WhoO wij zijn?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd richt zich al meer dan 10 jaar op de inkoop van halfgeleiders ... Lees meer Beste prijs

2022-05-26 17:59:40

Hoge Machtsmosfet NVBG020N120SC1 MOSFET N ‐ van het siliciumcarbide Kanaal 1200 V 20 mΩ D2PAK−7L
Contact

Hoge Machtsmosfet NVBG020N120SC1 MOSFET N ‐ van het Siliciumcarbide Kanaal 1200 V 20 mΩ D2PAK−7L [Who zijn wij?] Van de zonnestraalelektronika (Hong Kong) Co. Ltd is nadruk op halfgeleiderssourcing en ... Lees meer Beste prijs

2022-05-26 17:59:40

Hoge Machtsmosfet NVBG020N090SC1 MOSFET N ‐ van het siliciumcarbide Kanaal 900V 20 mΩ D2PAK−7L
Contact

Krachtige MOSFET NVBG020N090SC1 Siliciumcarbide MOSFET N‐Kanaal 900V 20 mΩ D2PAK−7L [WhoO wij zijn?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd richt zich al meer dan 10 jaar op de inkoop van halfgeleiders en de ... Lees meer Beste prijs

2022-05-26 17:59:40

Hoge Machtsmosfet NVBG015N065SC1 MOSFET N ‐ van het siliciumcarbide Kanaal 650V 12 mΩ D2PAK−7L
Contact

Hoge Machtsmosfet NVBG015N065SC1 MOSFET N ‐ van het Siliciumcarbide Kanaal 650V 12 mΩ D2PAK−7L [Who zijn wij?] Van de zonnestraalelektronika (Hong Kong) Co. Ltd is nadruk op halfgeleiderssourcing en elektronisc... Lees meer Beste prijs

2022-05-26 17:59:40

Hoge Machtsmosfet NVMFD5C478N Dubbele N-Channel Machtsmosfet 40 V 27 A 17,0 mΩ
Contact

Hoge Machtsmosfet NVMFD5C478N Dubbele N-Channel Machtsmosfet 40 V 27 A 17,0 mΩ [Who zijn wij?] Van de zonnestraalelektronika (Hong Kong) Co. Ltd is nadruk op halfgeleiderssourcing en elektronische componentenve... Lees meer Beste prijs

2022-05-26 17:53:24

Hoge Machtsmosfet NVMFD5C470NL Dubbele N−Channel-Machtsmosfet 40V 36A 11.5mΩ
Contact

Hoge Machtsmosfet NVMFD5C470NL Dubbele N−Channel Machtsmosfet 40V 36A 11.5mΩ [Who zijn wij?] Van de zonnestraalelektronika (Hong Kong) Co. Ltd is nadruk op halfgeleiderssourcing en elektronische componentenverk... Lees meer Beste prijs

2022-05-26 17:53:24

Hoge Machtsmosfet NVMFD5C470N 40 V 36 een Dubbel N-Channel 11,7 mΩ Standaardniveau
Contact

Hoge Machtsmosfet NVMFD5C470N 40 V 36 een Dubbel N-Channel 11,7 mΩ Standaardniveau [Who zijn wij?] Van de zonnestraalelektronika (Hong Kong) Co. Ltd is nadruk op halfgeleiderssourcing en elektronische ... Lees meer Beste prijs

2022-05-26 17:53:24

Page 167 of 212|< << 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 >> >|

Ongeveer ons

Ongeveer ons

Fabrieksreis

Kwaliteitscontrole

SMD-Geïntegreerde schakeling

CC2541F256RHAR de Zendontvanger IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN van Ti rf

Atmega328p-Au de 32-speld TQFP van de MICROCHIPmcu AVR RISC 32KB Flits 2.5V/3.3V/5V Dienblad met 8 bits

TPS92662AQPHPRQ1 zet de Hoge de Helderheids van hoofd Ti Bestuurdersoppervlakte Speld 48 op

De Opslag van flashgeheugengegevens

24LC256T-E/SN de Opslag van flashgeheugengegevens EEPROM I2C 256K beet 8 Speld SOIC N T/R

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F MICRON Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 Bal MCP

M24M01-RMN6TP het 1M-beetje periodiek-I2C van de Opslagstmicro EEPROM van flashgeheugengegevens

Microcontroller Eenheid MCU

STM8S003F3P6TR ST Microcontroller Eenheidsmcu STM8 3.3V/5V 20-speld met 8 bits TSSOP T/R

MSP430G2211IPW14R Ti-Microcontroller Eenheidsmcu MSP430 2.5V/3.3V 14-speld met 16 bits TSSOP T/R

STM32F030CCT6 ST Microcontroller Flits de met 32 bits van het Eenheidsmcu ARM Cortex M0 RISC 256KB

Contacteer ons

Contacteer ons

Verzoek om een Citaat

E-Mail

Sitemap

Mobiele site

Hoge Machtsmosfet

ITS4200SSJDXUMA1 geïntegreerde schakelingen Ics SW 1 IN 1 UIT 6V aan de 8-speld DSO T/R van 52V 1.2A

IRLML6402TRPBF hoge Machtsmosfet p-CH Si 20V 3.7A 3 Speld dronkaard-23 T/R

Mosfet P CH van IRLML6401TRPBF Infineon Si 12V 4.3A 3 Speld dronkaard-23 T/R

IRLML2803TRPBF hoge Machtsmosfet n-CH Si 30V 1.2A 3 Speld dronkaard-23 T/R

De Machtsmosfet N van IRFP4368PbFinfineon de Speld aan-247AC Buis van kanaalsi 75V 350A 3

Hoge Machtsmosfet

Hoge Machtsmosfet NVBGS1D2N08H Machtsmosfet, 80 V, 1,2 mΩ, 353 A, Enige N−Channel Contact

Hoge Machtsmosfet NVBG160N120SC1 MOSFET N ‐ van het siliciumcarbide Kanaal 1200 V 160 mΩ D2PAK−7L Contact

Krachtige MOSFET NVBG080N120SC1 Siliciumcarbide MOSFET N‐Kanaal 1200 V 80 mΩ D2PAK−7L Contact

Hoge Machtsmosfet NVBG060N090SC1 MOSFET van het siliciumcarbide, het Kanaal van N ‐, 900 V, 60 mΩ, D2PAK−7L Contact

Hoge Machtsmosfet NVBG020N120SC1 MOSFET N ‐ van het siliciumcarbide Kanaal 1200 V 20 mΩ D2PAK−7L Contact

Hoge Machtsmosfet NVBG020N090SC1 MOSFET N ‐ van het siliciumcarbide Kanaal 900V 20 mΩ D2PAK−7L Contact

Hoge Machtsmosfet NVBG015N065SC1 MOSFET N ‐ van het siliciumcarbide Kanaal 650V 12 mΩ D2PAK−7L Contact

Hoge Machtsmosfet NVMFD5C478N Dubbele N-Channel Machtsmosfet 40 V 27 A 17,0 mΩ Contact

Hoge Machtsmosfet NVMFD5C470NL Dubbele N−Channel-Machtsmosfet 40V 36A 11.5mΩ Contact

Hoge Machtsmosfet NVMFD5C470N 40 V 36 een Dubbel N-Channel 11,7 mΩ Standaardniveau Contact

Hoge Machtsmosfet NVBGS1D2N08H Machtsmosfet, 80 V, 1,2 mΩ, 353 A, Enige N−Channel
Contact

Hoge Machtsmosfet NVBG160N120SC1 MOSFET N ‐ van het siliciumcarbide Kanaal 1200 V 160 mΩ D2PAK−7L
Contact

Krachtige MOSFET NVBG080N120SC1 Siliciumcarbide MOSFET N‐Kanaal 1200 V 80 mΩ D2PAK−7L
Contact

Hoge Machtsmosfet NVBG060N090SC1 MOSFET van het siliciumcarbide, het Kanaal van N ‐, 900 V, 60 mΩ, D2PAK−7L
Contact

Hoge Machtsmosfet NVBG020N120SC1 MOSFET N ‐ van het siliciumcarbide Kanaal 1200 V 20 mΩ D2PAK−7L
Contact

Hoge Machtsmosfet NVBG020N090SC1 MOSFET N ‐ van het siliciumcarbide Kanaal 900V 20 mΩ D2PAK−7L
Contact

Hoge Machtsmosfet NVBG015N065SC1 MOSFET N ‐ van het siliciumcarbide Kanaal 650V 12 mΩ D2PAK−7L
Contact

Hoge Machtsmosfet NVMFD5C478N Dubbele N-Channel Machtsmosfet 40 V 27 A 17,0 mΩ
Contact

Hoge Machtsmosfet NVMFD5C470NL Dubbele N−Channel-Machtsmosfet 40V 36A 11.5mΩ
Contact

Hoge Machtsmosfet NVMFD5C470N 40 V 36 een Dubbel N-Channel 11,7 mΩ Standaardniveau
Contact